NUMERICAL SIMULATION OF THE INFLUENCE OF RADIATION ON THE MOS DEVICES PARAMETERS
Abstract
A model describing the space-time evolution of the charge which arises in the dielectric struc-ture of metal-insulator-semiconductor under ionizing radiation of X-ray and gamma-rays is consi-dered. The system of equations is solved by the numerical method. For realization of the difference problem an iterative algorithm is developed. The results of numerical modeling are presented.
About the Authors
G. M. Zayats
Институт математики НАН Беларуси
Belarus
Belarus
F. F. Komarov
НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУ
Belarus
Belarus
A. F. Komarov
НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУ
Belarus
Belarus
References
1. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП-интегральных схем / М.Н. Левин [и др.] // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 5. – С. 382–391.
2. Численное моделирование влияния низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры МДП-приборов / Г.М. Заяц [и др.] // XI Белорусская математическая конф. : тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5–9 ноября 2012 г. Ч. 3. – Минск : Институт математики НАН Беларуси, 2012. – С. 42–43.
3. MCWhorter, P.J. Modelling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. MCWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. – 1990. – Vol. 37, no. 6. – P. 1682–1689.
4. Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. – М. : Наука, 1989. – 616 c.
5. Ausman, G.A. Electron-hole pair creation energy in SiO / G.A. Ausman, F.B. McLean // Appl. Phys. Lett. – 1975. – No. 26. – P. 173.
6. Benedetto, J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. – 1986. – NS-33, no. 6. – P. 1318–1323.
7. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский [и др.] // Письма в ЖТФ. – 1993. – Т. 19, №. 3. – С. 43–45.
8. Levin, M.N. Relaxation processes induced in Si–SiO2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communication. – 1994. – Vol. 90, no. 12. – P. 813–816.
9. Гуртов, В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В.А. Гуртов. – Петрозаводск : ПетрГУ, 2004. – 312 c.
10. Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах / Согоян А.В. [и др.] // Модель космоса : в 2 т. / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, Науч.-исслед. ин-т ядерной фи-зики им. Д. В. Скобельцына. – 8-е изд. – М. : КДУ, 2007. – Т. 2. – C. 466–493.
11. Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М.Н. Левин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. – Т. 12, № 3. – С. 226–232.
Review
For citations:
Zayats G.M., Komarov F.F., Komarov A.F. NUMERICAL SIMULATION OF THE INFLUENCE OF RADIATION ON THE MOS DEVICES PARAMETERS. Informatics. 2014;(3):52-61. (In Russ.)
Views: 716
Email this article 