informИнформатикаInformatics1816-03012617-6963UIIP NASBinform-161Research ArticleМАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕMATHEMATICAL MODELINGЧИСЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПАРАМЕТРЫ МДП-ПРИБОРОВNUMERICAL SIMULATION OF THE INFLUENCE OF RADIATION ON THE MOS DEVICES PARAMETERSЗаяцГ. М.ZayatsG. M.zayats@im.bas-net.byКомаровФ. Ф.KomarovF. F.KomarAF@bsu.byКомаровА. Ф.KomarovA. F.KomarAF@bsu.byИнститут математики НАН БеларусиBelarusНИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУBelarus201406102016035261Copyright © Заяц Г.М., Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф., 20162016Заяц Г.М., Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф.Zayats G.M., Komarov F.F., Komarov A.F.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://inf.grid.by/jour/article/view/161

Рассматривается модель, описывающая пространственно-временную эволюцию заряда, ко-торый возникает в диэлектрике структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при воздейст-вии на нее ионизирующих излучений – рентгеновских и гамма-квантов. Система уравнений решается численным методом. Для реализации разностной задачи разрабатывается итерационная процедура. Представляются результаты численного моделирования.

A model describing the space-time evolution of the charge which arises in the dielectric struc-ture of metal-insulator-semiconductor under ionizing radiation of X-ray and gamma-rays is consi-dered. The system of equations is solved by the numerical method. For realization of the difference problem an iterative algorithm is developed. The results of numerical modeling are presented.

ReferencesМоделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП-интегральных схем / М.Н. Левин [и др.] // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 5. – С. 382–391.Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП-интегральных схем / М.Н. Левин [и др.] // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 5. – С. 382–391.Численное моделирование влияния низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры МДП-приборов / Г.М. Заяц [и др.] // XI Белорусская математическая конф. : тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5–9 ноября 2012 г. Ч. 3. – Минск : Институт математики НАН Беларуси, 2012. – С. 42–43.Численное моделирование влияния низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры МДП-приборов / Г.М. Заяц [и др.] // XI Белорусская математическая конф. : тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5–9 ноября 2012 г. Ч. 3. – Минск : Институт математики НАН Беларуси, 2012. – С. 42–43.MCWhorter, P.J. Modelling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. MCWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. – 1990. – Vol. 37, no. 6. – P. 1682–1689.MCWhorter, P.J. Modelling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. MCWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. – 1990. – Vol. 37, no. 6. – P. 1682–1689.Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. – М. : Наука, 1989. – 616 c.Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. – М. : Наука, 1989. – 616 c.Ausman, G.A. Electron-hole pair creation energy in SiO / G.A. Ausman, F.B. McLean // Appl. Phys. Lett. – 1975. – No. 26. – P. 173.Ausman, G.A. Electron-hole pair creation energy in SiO / G.A. Ausman, F.B. McLean // Appl. Phys. Lett. – 1975. – No. 26. – P. 173.Benedetto, J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. – 1986. – NS-33, no. 6. – P. 1318–1323.Benedetto, J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. – 1986. – NS-33, no. 6. – P. 1318–1323.Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский [и др.] // Письма в ЖТФ. – 1993. – Т. 19, №. 3. – С. 43–45.Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский [и др.] // Письма в ЖТФ. – 1993. – Т. 19, №. 3. – С. 43–45.Levin, M.N. Relaxation processes induced in Si–SiO2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communication. – 1994. – Vol. 90, no. 12. – P. 813–816.Levin, M.N. Relaxation processes induced in Si–SiO2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communication. – 1994. – Vol. 90, no. 12. – P. 813–816.Гуртов, В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В.А. Гуртов. – Петрозаводск : ПетрГУ, 2004. – 312 c.Гуртов, В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В.А. Гуртов. – Петрозаводск : ПетрГУ, 2004. – 312 c.Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах / Согоян А.В. [и др.] // Модель космоса : в 2 т. / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, Науч.-исслед. ин-т ядерной фи-зики им. Д. В. Скобельцына. – 8-е изд. – М. : КДУ, 2007. – Т. 2. – C. 466–493.Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах / Согоян А.В. [и др.] // Модель космоса : в 2 т. / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, Науч.-исслед. ин-т ядерной фи-зики им. Д. В. Скобельцына. – 8-е изд. – М. : КДУ, 2007. – Т. 2. – C. 466–493.Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М.Н. Левин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. – Т. 12, № 3. – С. 226–232.Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М.Н. Левин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. – Т. 12, № 3. – С. 226–232.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.