Preview

Информатика

Расширенный поиск

ЧИСЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПАРАМЕТРЫ МДП-ПРИБОРОВ

Полный текст:

Аннотация

Рассматривается модель, описывающая пространственно-временную эволюцию заряда, ко-торый возникает в диэлектрике структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при воздейст-вии на нее ионизирующих излучений – рентгеновских и гамма-квантов. Система уравнений решается численным методом. Для реализации разностной задачи разрабатывается итерационная процедура. Представляются результаты численного моделирования.

Об авторах

Г. М. Заяц
Институт математики НАН Беларуси
Беларусь


Ф. Ф. Комаров
НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУ
Беларусь


А. Ф. Комаров
НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУ
Беларусь


Список литературы

1. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП-интегральных схем / М.Н. Левин [и др.] // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 5. – С. 382–391.

2. Численное моделирование влияния низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры МДП-приборов / Г.М. Заяц [и др.] // XI Белорусская математическая конф. : тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5–9 ноября 2012 г. Ч. 3. – Минск : Институт математики НАН Беларуси, 2012. – С. 42–43.

3. MCWhorter, P.J. Modelling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. MCWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. – 1990. – Vol. 37, no. 6. – P. 1682–1689.

4. Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. – М. : Наука, 1989. – 616 c.

5. Ausman, G.A. Electron-hole pair creation energy in SiO / G.A. Ausman, F.B. McLean // Appl. Phys. Lett. – 1975. – No. 26. – P. 173.

6. Benedetto, J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. – 1986. – NS-33, no. 6. – P. 1318–1323.

7. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский [и др.] // Письма в ЖТФ. – 1993. – Т. 19, №. 3. – С. 43–45.

8. Levin, M.N. Relaxation processes induced in Si–SiO2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communication. – 1994. – Vol. 90, no. 12. – P. 813–816.

9. Гуртов, В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В.А. Гуртов. – Петрозаводск : ПетрГУ, 2004. – 312 c.

10. Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах / Согоян А.В. [и др.] // Модель космоса : в 2 т. / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, Науч.-исслед. ин-т ядерной фи-зики им. Д. В. Скобельцына. – 8-е изд. – М. : КДУ, 2007. – Т. 2. – C. 466–493.

11. Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М.Н. Левин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. – Т. 12, № 3. – С. 226–232.


Для цитирования:


Заяц Г.М., Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф. ЧИСЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПАРАМЕТРЫ МДП-ПРИБОРОВ. Информатика. 2014;(3):52-61.

For citation:


Zayats G.M., Komarov F.F., Komarov A.F. NUMERICAL SIMULATION OF THE INFLUENCE OF RADIATION ON THE MOS DEVICES PARAMETERS. Informatics. 2014;(3):52-61. (In Russ.)

Просмотров: 240


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1816-0301 (Print)
ISSN 2617-6963 (Online)