1. Моделирование процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП-интегральных схем / М.Н. Левин [и др.] // Микроэлектроника. - 2006. - Т. 35, № 5. - С. 382-391.
2. Численное моделирование влияния низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры МДП-приборов / Г.М. Заяц [и др.] // XI Белорусская математическая конф. : тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5-9 ноября 2012 г. Ч. 3. - Минск : Институт математики НАН Беларуси, 2012. - С. 42-43.
3. MCWhorter, P.J. Modelling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. MCWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. - 1990. - Vol. 37, no. 6. - P. 1682-1689.
4. Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. - М. : Наука, 1989. - 616 c.
5. Ausman, G.A. Electron-hole pair creation energy in SiO / G.A. Ausman, F.B. McLean // Appl. Phys. Lett. - 1975. - No. 26. - P. 173.
6. Benedetto, J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. - 1986. - NS-33, no. 6. - P. 1318-1323.
7. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г. Кадменский [и др.] // Письма в ЖТФ. - 1993. - Т. 19, №. 3. - С. 43-45.
8. Levin, M.N. Relaxation processes induced in Si-SiO2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communication. - 1994. - Vol. 90, no. 12. - P. 813-816.
9. Гуртов, В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В.А. Гуртов. - Петрозаводск : ПетрГУ, 2004. - 312 c.
10. Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах / Согоян А.В. [и др.] // Модель космоса : в 2 т. / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова, Науч.-исслед. ин-т ядерной фи-зики им. Д. В. Скобельцына. - 8-е изд. - М. : КДУ, 2007. - Т. 2. - C. 466-493.
11. Прогнозирование радиационной стойкости МОП ИС в условиях низкоинтенсивного облучения / М.Н. Левин [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12, № 3. - С. 226-232.
Послать статью по эл. почте 