АЛГОРИТМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ НА ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМАХ
Abstract
Рассматривается модель создания активных областей элементов интегральных схем посредством термической диффузии примесей в полупроводниках. Модель учитывает нелинейность, многомерность процесса, влияние на диффузию точечных дефектов, кластерообразование, миграцию электронов. Предлагаются алгоритмы численного решения системы дифференциальных уравнений, которые основаны на применении специализированных конечно-разностных методов и эффективны при программной реализации на параллельных вычислительных системах.
About the Authors
Г. Заяц
Институт математики НАН Беларуси
Belarus
Belarus
В. Стецюренко
Объединенный институт проблем информатики НАН Беларуси
Russian Federation
Russian Federation
В. Цурко
Институт математики НАН Беларуси
Belarus
Belarus
References
1. Whelan, S. Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions / S. Whelan [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing. 2000. No. 3. P. 285290.
2. Vandervorst, W. Errors in near-surface and interfacial profiling of boron and arsenic / W. Vandervorst [et al.] // Applied Surface Science. 2004. Vol. 231232. P. 618631.
3. Buyuklimanli, T.H. Improved near surface characterization of shallow arsenic distribution by SIMS depth profiling / T.H. Buyuklimanli, J.W. Marino, S.W. Novak // Applied Surface Science. 2004. Vol. 231232. P. 636639.
4. Girginoudi, D. Studies of ultra shallow p junctions formed by low-energy As-implantation / D. Girginoudi [et al.] // Materials Science and Engineering B 114-115. 2004. P. 381385.
5. Solmi, S. Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon / S. Solmi [et al.] // Journal of Appleid Physics. 2003. Vol. 94, No. 8. P. 49504955.
6. La Via, F. Precipitation of arsenic diffused into silicon from a TiSi2 source / F. La Via [et al.] // Journal of Appleid Physics. 1991. Vol. 69, No. 2. P. 726731.
7. Lamrani, Y. Direct evidence of the recombination of silicon interstitial atoms at the silicon surface / Y. Lamrani [et al.] // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. 2004. Vol. B 216. P. 281285.
8. Fedotov, K. A set of equations of stress-mediated evolution of the nonequilibrium dopant-defect system in semiconductor crystals / K. Fedotov, O.I. Velichko, V.A. Dobrushkin // Journal of Alloys and Compounds. 2004. Vol. 382, Issue 12. P. 283287.
9. Velichko, O.I. Simulation of arsenic diffusion during rapid thermal annealing of silicon layers doped with low-energy high-dose ion implantation / O.I. Velichko [et al.] // Сб. материалов 6-й Междунар. конф. ВИТТ2005. – Минск, 2005. С. 197199.
10. Komarov, F.F. Modeling of diffusion of As implanted in Si in the near-surface region / F.F. Komarov [et al.] // Proceedings of the IV International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation». – Zakopane, Poland, 2005. P. 6870.
11. Velichko, O.I. Simulation of coupled diffusion of impurity atoms and point defects under nonequilibrium conditions in local domain / O.I. Velichko [et al.] // Journal of Computational Physics. 2002. Vol. 178. P. 196205.
12. Solmi, S. High concentration diffusivity and clustering of arsenic and phosphorus in silicon / S. Solmi, D. Nobili // Journal of Appleid Physics. 1998. Vol. 83. No. 5. P. 24842490.
13. Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский. М.: Наука, 1977. 656 с.
14. Самарский, А.А. Методы решения сеточных уравнений / А.А. Самарский, Е.С. Николаев. М.: Наука, 1978. 592 c.
15. Likhoded, N.A. Processor Arrays for Solving Nonstationary Systems of Equations of Mathematical Physics / N.A. Likhoded, A.A. Tiunchik, V.A. Tsurko // Engineering Simulation. 1995. Vol. 13. P. 259270.
Review
For citations:
, , . Informatics. 2007;(2(14)):129-140. (In Russ.)
Views: 448
Email this article 