AB INITIO МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ДВУХМЕРНОГО МОЛИБДЕНИТА
Аннотация
Посредством ab initio, из первых принципов, моделирования исследуются электронные свой-ства трехмерной и двухмерной структур молибденита, MoS2, сформированных вдоль <001>, <010> и <100> кристаллографических направлений. Проводятся расчеты электронной плотности и зонной структуры. Показывается, что зонные структуры 2D-<010> и -<100> MoS2 идентичны. Зонная структура 2D-<001> MoS2 отличается наличием прямозонного перехода и отсутствием дополни-тельных энергетических уровней. Обнаруженные особенности подтверждают возможность нали-чия в MoS2, как и у графена, исключительных электронных и магнитных свойств.
Об авторах
О. А. КозловаРоссия
В. В. Нелаев
Россия
Список литературы
1. Kresse, G. From ultrasoft pseudopotentials to the projector augmented-wave method /G. Kresse, D. Joubert // Physical Review. B. – 1999. – Vol. 54. – P. 1758–1775.
2. Kresse, G. Efficiency of ab initio total energy calculations for metals and semiconductors using a plane-wave set / G. Kresse, J. Furthmuller // Comput. Mat. Sci. – 1996. – Vol. 6. – P. 15–50.
3. Durinck, J. Influence of crystal chemistry on ideal plastic shear anisotropy in forsterite: first principle calculations / J. Durinck, A. Legris, P. Cordier // American Mineralogist. – 2005. –Vol. 90. – P. 1072–1077.
4. Nair, N.N. Glycine at the pyrite/water interface: an ab initio metadynamics study / N.N. Nair,E. Schreiner, D. Marx // Proceedings of NIC Symposium 2008. John von Neumann Institute for Computing.– Jülich, Germany, 2008. – Vol. 39. – P. 101–108.
5. Wang, L. Ab initio study of the surface properties and nanoscale effects of LiMnPO4 / L. Wang,F. Zhou, G. Ceder // Electrochemical and Solid-State Letters. – 2008. – Vol. 11. – P. A94–A96.
6. Lei, Y. First principles study of the size effect of TiO2 anatase nanoparticles in dyesensitized solar cell / Y. Lei, H. Liu, W. Xiao // Modell. Simul. Mater. Sci. Eng. – 2010 – Vol. 18. – P. 025004–025011.
7. Double-gate strained-Ge heterostructure tunneling FET (TFET) with record high drive currents and 60mV/dec subthreshold slope / T. Krishnamohan [et al.] // Proceedings of Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE International. – San Francisco, USA, 2008. – P. 1–3.
8. Conroy, M. Anisotropic constitutive relationships in energetic materials: PETN and HMX /M. Conroy, I.I. Oleynik, C.T. White // AIP Conf. Proc. – 2007. – Vol. 955. – P. 361–364.
9. Friak, M. Ab initio calculation of tensile strength in iron / M. Friak, M. Sob, V. Vitek // Phil.Mag. – 2003. – Vol. 83. – P. 3529–3537.
10. Tung, J.C. An ab initio study of the magnetic and electronic properties of Fe, Co, and Ni nanowires on Cu(001) surface / J.C. Tung, G.Y. Guo // Computer Physics Communications. – 2011. –Vol. 182(1). – P. 84–86.
11. The rise of graphene / S. Novoselov [et al.] // Nature Mater. – 2007. – Vol. 6. – P.183–191.
12. Nelayev, V. Magnetism of graphene with vacancy clusters / V. Nelayev, A. Mironchik //Mater. Phys. Mech. – 2010. – Vol. 9. – P.26–34.
13. Исаева, А.А. Создание новых материалов для микро- и наноэлектроники на основе наноблочных смешанных халькогенидов переходных (Ni, Fе)-непереходных металлов /А.А. Исаева, А.Н. Кузнецов // Международный форум по нанотехнологиям Rusnanotech. – М.,2008. – С. 322–324.
14. Single-layer MoS2 transistors / B. Radisavljevic [et al.] // Nature Nanotechnology. – 2011. –Vol. 6. – P. 147–150.
15. Lebegue, S. Electronic structure of two-dimensional crystals from ab initio theory /S. Lebegue, O. Ericsson // Physical Review. B. – 2009. – Vol. 79. – P. 115409–115412.
16. Fabrication of inorganic molybdenum disulfide fullerenes by arc in water / N. Sano [et al.] //Chemical Physics Letters. – 2003. – Vol. 368. – P. 331–337.
17. An alternative route to molybdenum disulfide nanotubes / W-K Hsu [et al.] // American Chemical Society. – 2000. – Vol. 122. – P. 10155–10158.
18. Lithium dynamics in molybdenum disulfide intercalation compounds studied by nuclear magnetic resonance / J.P. Donoso // Brazilian Journal of Physics. – 2006. – Vol. 36 (1A) – P. 55–60.
19. Schoenfeld, B. Anisotropic mean-square displacements (MSD) in single crystals of 2H- and 3R-MoS2 / B. Schoenfeld, J.J. Huang, S.C. Moss // Acta Cryst. B. – 1983. – Vol. 39. – P. 404–407.
20. Y2O3 and MoS2 electronic properties simulation / A. Gulay [et al.] // Proceedings of MEMSTECH’ 2011. – Polyana, Ukraine, 2011. – P. 111–113.
21. VASP the GUIDE [Электронный ресурс] / G. Kresse, J. Furthmuller // University of Vienna.– 2007. – P. 40. – Mode of access : http://wolf.ifj.edu.pl./workshop/work2008/tutorial/vasp.рdf. – Date of access : 12.01.2013.
Рецензия
Для цитирования:
Козлова О.А., Нелаев В.В. AB INITIO МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ДВУХМЕРНОГО МОЛИБДЕНИТА. Информатика. 2013;(3):58-64.
For citation:
Kozlova O.A., Nelayev V.V. AB INITIO MODELLING OF ELECTRONIC PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL MOLYBDENUM DISULFIDE. Informatics. 2013;(3):58-64. (In Russ.)