informИнформатикаInformatics1816-03012617-6963UIIP NASBinform-636Research ArticleМАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕMATHEMATICAL MODELINGАЛГОРИТМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ НА ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМАХЗаяцГ. М.СтецюренкоВ. И.ЦуркоВ. А.Институт математики НАН БеларусиBelarusОбъединенный институт проблем информатики НАН БеларусиRussian Federation20071611201802(14)129140Copyright © Заяц Г.М., Стецюренко В.И., Цурко В.А., 20182018Заяц Г.М., Стецюренко В.И., Цурко В.А.Заяц Г.М., Стецюренко В.И., Цурко В.А.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://inf.grid.by/jour/article/view/636

Рассматривается модель создания активных областей элементов интегральных схем посредством термической диффузии примесей в полупроводниках. Модель учитывает нелинейность, многомерность процесса, влияние на диффузию точечных дефектов, кластерообразование, миграцию электронов. Предлагаются алгоритмы численного решения системы дифференциальных уравнений, которые основаны на  применении специализированных конечно-разностных методов и эффективны при программной  реализации на параллельных вычислительных системах.

ReferencesWhelan, S. Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions / S. Whelan [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing.  2000.  No. 3.  P. 285290.Whelan, S. Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions / S. Whelan [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing.  2000.  No. 3.  P. 285290.Vandervorst, W. Errors in near-surface and interfacial profiling of boron and arsenic / W. Vandervorst [et al.] // Applied Surface Science.  2004.  Vol. 231232.  P. 618631.Vandervorst, W. Errors in near-surface and interfacial profiling of boron and arsenic / W. Vandervorst [et al.] // Applied Surface Science.  2004.  Vol. 231232.  P. 618631.Buyuklimanli, T.H. Improved near surface characterization of shallow arsenic distribution by SIMS depth profiling / T.H. Buyuklimanli, J.W. Marino, S.W. Novak // Applied Surface Science.  2004.  Vol. 231232.  P. 636639.Buyuklimanli, T.H. Improved near surface characterization of shallow arsenic distribution by SIMS depth profiling / T.H. Buyuklimanli, J.W. Marino, S.W. Novak // Applied Surface Science.  2004.  Vol. 231232.  P. 636639.Girginoudi, D. Studies of ultra shallow p junctions formed by low-energy As-implantation / D. Girginoudi [et al.] // Materials Science and Engineering B 114-115.  2004.  P. 381385.Girginoudi, D. Studies of ultra shallow p junctions formed by low-energy As-implantation / D. Girginoudi [et al.] // Materials Science and Engineering B 114-115.  2004.  P. 381385.Solmi, S. Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon / S. Solmi [et al.] // Journal of Appleid Physics.  2003.  Vol. 94, No. 8.  P. 49504955.Solmi, S. Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon / S. Solmi [et al.] // Journal of Appleid Physics.  2003.  Vol. 94, No. 8.  P. 49504955.La Via, F. Precipitation of arsenic diffused into silicon from a TiSi2 source / F. La Via [et al.] // Journal of Appleid Physics.  1991.  Vol. 69, No. 2.  P. 726731.La Via, F. Precipitation of arsenic diffused into silicon from a TiSi2 source / F. La Via [et al.] // Journal of Appleid Physics.  1991.  Vol. 69, No. 2.  P. 726731.Lamrani, Y. Direct evidence of the recombination of silicon interstitial atoms at the silicon surface / Y. Lamrani [et al.] // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res.  2004.  Vol. B 216.  P. 281285.Lamrani, Y. Direct evidence of the recombination of silicon interstitial atoms at the silicon surface / Y. Lamrani [et al.] // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res.  2004.  Vol. B 216.  P. 281285.Fedotov, K. A set of equations of stress-mediated evolution of the nonequilibrium dopant-defect system in semiconductor crystals / K. Fedotov, O.I. Velichko, V.A. Dobrushkin // Journal of Alloys and Compounds.  2004.  Vol. 382, Issue 12.  P. 283287.Fedotov, K. A set of equations of stress-mediated evolution of the nonequilibrium dopant-defect system in semiconductor crystals / K. Fedotov, O.I. Velichko, V.A. Dobrushkin // Journal of Alloys and Compounds.  2004.  Vol. 382, Issue 12.  P. 283287.Velichko, O.I. Simulation of arsenic diffusion during rapid thermal annealing of silicon layers doped with low-energy high-dose ion implantation / O.I. Velichko [et al.] // Сб. материалов 6-й Междунар. конф. ВИТТ2005. – Минск, 2005.  С. 197199.Velichko, O.I. Simulation of arsenic diffusion during rapid thermal annealing of silicon layers doped with low-energy high-dose ion implantation / O.I. Velichko [et al.] // Сб. материалов 6-й Междунар. конф. ВИТТ2005. – Минск, 2005.  С. 197199.Komarov, F.F. Modeling of diffusion of As implanted in Si in the near-surface region / F.F. Komarov [et al.] // Proceedings of the IV International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation». – Zakopane, Poland, 2005.  P. 6870.Komarov, F.F. Modeling of diffusion of As implanted in Si in the near-surface region / F.F. Komarov [et al.] // Proceedings of the IV International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation». – Zakopane, Poland, 2005.  P. 6870.Velichko, O.I. Simulation of coupled diffusion of impurity atoms and point defects under nonequilibrium conditions in local domain / O.I. Velichko [et al.] // Journal of Computational Physics.  2002.  Vol. 178.  P. 196205.Velichko, O.I. Simulation of coupled diffusion of impurity atoms and point defects under nonequilibrium conditions in local domain / O.I. Velichko [et al.] // Journal of Computational Physics.  2002.  Vol. 178.  P. 196205.Solmi, S. High concentration diffusivity and clustering of arsenic and phosphorus in silicon / S. Solmi, D. Nobili // Journal of Appleid Physics.  1998.  Vol. 83.  No. 5.  P. 24842490.Solmi, S. High concentration diffusivity and clustering of arsenic and phosphorus in silicon / S. Solmi, D. Nobili // Journal of Appleid Physics.  1998.  Vol. 83.  No. 5.  P. 24842490.Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский.  М.: Наука, 1977.  656 с.Самарский, А.А. Теория разностных схем / А.А. Самарский.  М.: Наука, 1977.  656 с.Самарский, А.А. Методы решения сеточных уравнений / А.А. Самарский, Е.С. Николаев.  М.: Наука, 1978.  592 c.Самарский, А.А. Методы решения сеточных уравнений / А.А. Самарский, Е.С. Николаев.  М.: Наука, 1978.  592 c.Likhoded, N.A. Processor Arrays for Solving Nonstationary Systems of Equations of Mathematical Physics / N.A. Likhoded, A.A. Tiunchik, V.A. Tsurko // Engineering Simulation.  1995.  Vol. 13.  P. 259270.Likhoded, N.A. Processor Arrays for Solving Nonstationary Systems of Equations of Mathematical Physics / N.A. Likhoded, A.A. Tiunchik, V.A. Tsurko // Engineering Simulation.  1995.  Vol. 13.  P. 259270.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.