informИнформатикаInformatics1816-03012617-6963UIIP NASBinform-281Research ArticleМАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕMATHEMATICAL MODELINGМОДЕЛЬ ЭКРАНИРОВАНИЯ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ МНОГОСЛОЙНЫМ ЦИЛИНДРИЧЕСКИМ ЭКРАНОМЕрофеенкоВ. Т.ШушкевичГ. Ч.ГрабчиковС. С.БондаренкоВ. Ф.Учреждение БГУ «НИИ прикладных проблем математики и информатики»BelarusГродненский государственный университет им. Янки КупалыBelarusНПЦ НАН Беларуси по материаловедениюBelarusВысший государственный колледж связиBelarus20122702201803(35)8093Copyright © Ерофеенко В.Т., Шушкевич Г.Ч., Грабчиков С.С., Бондаренко В.Ф., 20182018Ерофеенко В.Т., Шушкевич Г.Ч., Грабчиков С.С., Бондаренко В.Ф.Ерофеенко В.Т., Шушкевич Г.Ч., Грабчиков С.С., Бондаренко В.Ф.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://inf.grid.by/jour/article/view/281

Предлагается алгоритм сведения решения краевой задачи проникновения постоянного магнитного поля через многослойный магнитный цилиндрический экран к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Выводится аналитическая формула для вычисления коэффициента эффективности экрана. Интегральное уравнение решается численно. Исследуются экранирующие свойства конечного и бесконечного многослойных экранов с большим числом слоев

ReferencesШапиро, Д.Н. Электромагнитное экранирование / Д.Н. Шапиро. – Долгопрудный : Изд. дом «Интеллект», 2010. – 120 с.Шапиро, Д.Н. Электромагнитное экранирование / Д.Н. Шапиро. – Долгопрудный : Изд. дом «Интеллект», 2010. – 120 с.Резинкина, М.М. Использование численных расчетов для выбора средств экранирования от действия магнитного поля / М.М. Резинкина // Журнал технической физики. – 2007. – Т. 77, вып. 11. – С. 17–24.Резинкина, М.М. Использование численных расчетов для выбора средств экранирования от действия магнитного поля / М.М. Резинкина // Журнал технической физики. – 2007. – Т. 77, вып. 11. – С. 17–24.Глонягин, Ю.В. Элементы теории и расчета магнитостатических полей ферромагнит-Глонягин, Ю.В. Элементы теории и расчета магнитостатических полей ферромагнит-ных тел / Ю.В. Глонягин. – Л. : Судостроение, 1967. – 180 с.ных тел / Ю.В. Глонягин. – Л. : Судостроение, 1967. – 180 с.Холодов, Ю.А. Влияние магнитных полей на биологические объекты / Ю.А. Холодов. – М. : Наука, 1971. – 214 с.Холодов, Ю.А. Влияние магнитных полей на биологические объекты / Ю.А. Холодов. – М. : Наука, 1971. – 214 с.Аполлонский, С.М. Анизотропия материалов – резерв повышения эффективностиАполлонский, С.М. Анизотропия материалов – резерв повышения эффективностиэлектромагнитных экранов / С.М. Аполлонский, В.Н. Острейко // Электротехника. – 1994. – № 11. – С. 51–53.электромагнитных экранов / С.М. Аполлонский, В.Н. Острейко // Электротехника. – 1994. – № 11. – С. 51–53.Фуфаева, Л.И. Эффективность экранирования постоянных магнитных полей многослойными экранами / Л.И. Фуфаева, А.Б. Тимофеев // Труды МАИ. – 1976. – Вып. 364. – С. 58–63.Фуфаева, Л.И. Эффективность экранирования постоянных магнитных полей многослойными экранами / Л.И. Фуфаева, А.Б. Тимофеев // Труды МАИ. – 1976. – Вып. 364. – С. 58–63.Аполлонский, А.С. Электромагнитные поля в экранирующих оболочках / С.М. Апол-Аполлонский, А.С. Электромагнитные поля в экранирующих оболочках / С.М. Апол-лонский, В.Т. Ерофеенко. – Минск : Университетское, 1988. – 247 с.лонский, В.Т. Ерофеенко. – Минск : Университетское, 1988. – 247 с.Ерофеенко, В.Т. Основы математического моделирования / В.Т. Ерофеенко, И.С. Коз-Ерофеенко, В.Т. Основы математического моделирования / В.Т. Ерофеенко, И.С. Коз-ловская. – Минск : БГУ, 2002. – 195 с.ловская. – Минск : БГУ, 2002. – 195 с.Ерофеенко, В.Т. Теоремы сложения / В.Т. Ерофеенко. – Минск : Наука и техника,Ерофеенко, В.Т. Теоремы сложения / В.Т. Ерофеенко. – Минск : Наука и техника,– 256 с.– 256 с.Справочник по специальным функциям с формулами, графиками и таблицами / под ред. М. Абрамовица, И. Стиган. – М. : Наука, 1979. – 830 с.Справочник по специальным функциям с формулами, графиками и таблицами / под ред. М. Абрамовица, И. Стиган. – М. : Наука, 1979. – 830 с.Шушкевич, Г.Ч. Компьютерные технологии в математике. Система Mathcad 14. Ч. 1 /Шушкевич, Г.Ч. Компьютерные технологии в математике. Система Mathcad 14. Ч. 1 /Г.Ч. Шушкевич, С.В. Шушкевич. – Минск : Изд-во Гревцова, 2010. – 287 с.Г.Ч. Шушкевич, С.В. Шушкевич. – Минск : Изд-во Гревцова, 2010. – 287 с.Ерофеенко, В.Т. Моделирование процессов проникновения низкочастотных магнит-Ерофеенко, В.Т. Моделирование процессов проникновения низкочастотных магнит-ных полей через многослойные экраны / В.Т. Ерофеенко // Информатика. – 2011. – № 3 (31). – С. 22–32.ных полей через многослойные экраны / В.Т. Ерофеенко // Информатика. – 2011. – № 3 (31). – С. 22–32.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.